РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

К ВОПРОСУ О МОДЕЛИРОВАНИИ КИНЕТИКИ ВАХ ALGAAS-ГЕТЕРОСТРУКТУР

Ветрова Н.А., Куимов Е.В., Мешков С.А., Шашурин В.Д.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, http://bmstu.ru/
Москва 105005, Российская Федерация
E-mail: vetrova@bmstu.ru, ekjmo@mail.ru, sb67241@mail.ru, schashurin@bmstu.ru

Поступила 21.08.2019, рецензирована 09.09.2019, принята 17.10.2019

Аннотация. Представлена модель деградации AlGaAs-гетероструктур. Модели диссипативных процессов расширены на случай диффузионно-размытого профиля алюминия. Временная сложность алгоритма снижена путём оптимизации алгоритма самосогласования на этапе вычисления концентрации электронов проводимости. По результатам валидации разработанной модели сделан вывод о целесообразности ее использования для моделирования кинетики начального участка ВАХ гетероструктур в условиях повышенных температур, в том числе в рамках задачи прогнозирования показателей надежности ГИС и МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых AlGaAs-гетероструктур

Ключевые слова: гетероструктуры, наноэлектроника, математическое моделирование, деградация структуры, самосогласованный потенциал, диссипативные процессы

УДК 004.052, 538.91

РЭНСИТ, 2019, 11(3):299-306 DOI: 10.17725/rensit.2019.11.299

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/297/11(3)299-306.pdf