РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения температуры и плотности тока в гетероструктуре

1,2Сергеев В.А., 1Ходаков А.М., 1,2Фролов И.В.
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновский филиал, http://ulireran.ru/br>
Ульяновск 432071, Российская Федерация
2Ульяновский государственный технический университет, http://www.ulstu.ru/
Ульяновск 432027, Российская Федерация
E-mail: sva@ulstu.ru, ln23al@yandex.ru, ilya-frolov88@mail.ru

Поступила 08.06.2020, рецензирована 22.06.2020, принята 30.06.2020

Аннотация. Представлена диффузионная кинетическая модель деградации мощности оптического излучения светодиода на основе двойной InGaN/GaN гетероструктуры в процессе испытаний под действием прямого тока. Согласно модели, основным процессом, вызывающим спад оптической мощности светодиода, является диффузия атомов примеси Mg из барьерного p-слоя гетероструктуры в активную область. Модель учитывает эффект неоднородного распределения тока вследствие неравномерного разогрева кристалла током высокой плотности и может быть использована для прогнозирования срока службы светодиода при работе в непрерывном и импульсном режиме.

Ключевые слова: светодиод, испытания, спад мощности излучения, модель

УДК 621.382

РЭНСИТ, 2020, 12(3):329-334. DOI: 10.17725/rensit.2020.12.329.

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/348/12(3)329-334.pdf