РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

Термодеформационная модель субмодуля выходного усилителя мощности Х-диапазона

1Ходаков А.М., 1,2Тарасов Р.Г., 1,3Сергеев В.А., 1,2Куликов А.А.
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновский филиал, http://www.ulireran.ru/
Ульяновск 432071, Российская Федерация
2НПП «Завод Искра», http://www.zavod-iskra.ru/
Ульяновск, 432030, Российская Федерация
3Ульяновский государственный технический университет, https://www.ulstu.ru/
Ульяновск 432027, Российская Федерация
E-mail: ln23al@yandex.ru, zavod@npp-iskra.ru, sva@ulstu.ru, kulikovaa36@yandex.ru

Поступила 18.02.2021, рецензирована 26.02.2021, принята 09.03.2021

Аннотация. Представлены результаты 3D-моделирования в программной среде Comsol Multiphysics и расчета температурных и термодеформационных полей кристаллов GaAs монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ усилителей в составе субмодуля выходного усилителя мощности (ВУМ) Х-диапазона и их контактных соединений с подложкой в импульсных режимах работы с различной скважностью. Показано, что максимальная температура и термомеханические напряжения в кристалле МИС в динамическом режиме работы существенно превышают расчетные значения для стационарного режима и сильно зависят от скважности импульсов рассеиваемой МИС мощности. Термомеханические напряжения принимают максимальное значение в некоторой узкой области вблизи границы клеевого соединения кристалла МИС с монтажной пластиной; это максимальное значение сильно зависит от температурного коэффициента расширения (ТКР) адгезива и принимает наименьшее значение при ТКР адгезива, равном ТКР кристалла GaAS

Ключевые слова: термодеформации, СВЧ усилитель, скважность импульса

УДК 621.382.029

РЭНСИТ, 2021, 13(1):13-18 DOI: 10.17725/rensit.2021.13.013.

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/372/13(1)13-18.pdf