РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ Nb/AlN/NbN И ЛИНИЙ ПЕРЕДАЧ NbTiN-SiO2-Al

Чекушкин А.М., Филиппенко Л.В., Кашин В.В., Фоминский М.Ю., Кошелец В.П.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, http://www. cplire.ru/
Москва 125009, Российская Федерация
E-mail: chekushkin@hitech.cplire.ru, lyudmila@hitech.cplire.ru, vvkashin@cplire.ru, demiurge@hitech.cplire.ru, valery@hitech.cplire.ru

Поступила 03.11.2021, рецензирована 10.11.2021, принята 17.11.2021

Аннотация: В представленной работе изучена поверхность тонких пленок Nb, Al, NbTiN, SiO2, Al2O3 которые необходимы для создания высокочувствительных устройств терагерцового диапазона. Кратко описана технология изготовления подобных структур. Все пленки были изготовлены при помощи установки магнетронного напыления Kurt J. Lesker. Исследование шероховатости поверхности пленок проводилось при помощи атомно-силового микроскопа Bruker Ikon. Было показано, что для используемых пленок качество поверхности определяется не столько режимом напыления, сколько последующими технологическими операциями травления в плазмохимической установке. Получены лучшие значения среднеквадратического отклонения профиля поверхности Rq = 2 нм для используемой пленки NbTiN толщиной 325 нм. Изучено формирование тонких слоев Al, используемых для создания туннельного барьера в сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник структурах. Показано, что пленки Al толщиной более 6 нм уже сплошные. Изучены шероховатости поверхностей однослойных и многослойных пленок.

Ключевые слова: сверхпроводимость, тонкие пленки, магнетронное напыление, джозефсоновские переходы, шероховатость поверхности

УДК 539.231

РЭНСИТ, 2021, 13(4):419-426 DOI: 10.17725/rensit.2021.13.419.

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/413/13(4)419-426.pdf