Том 14, №1, 2022
РусскийEnglish

НАНОЭЛЕКТРОНИКА



Классические и интеллектуальные подходы к статическому временному анализу СБИС: обзор

Васильев Н.О., Заплетина М.А., Иванова Г.А.

Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, http://www.ippm.ru/
Зеленоград, Москва 124365, Российская Федерация
E-mail: vasilyev_n@ippm.ru, zapletina_m@ippm.ru, ivanova_g@ippm.ru

Поступила 06.12.2021, рецензирована 13.12.2021, принята 28.12.2021


Аннотация: Статья посвящена систематизации современного научного опыта и направлений развития методов оценки временных параметров и характеристик цифровых интегральных микросхем. В ней приведен сравнительный анализ интеллектуальных и классических, в том числе статистических, методов статического временного анализа, обозначены актуальные задачи и направления будущих исследований. Особое внимание в работе уделено интеллектуальным методам сокращения пессимизма оценки временных характеристик интегральной схемы, в частности, уменьшению степени влияния ложных путей и учету вариаций технологических и эксплуатационных параметров. Согласно проведенному анализу последних публикаций (за 2013-2021 гг.), для построения интеллектуальных методов оценки временных характеристик микросхем часто используются различные виды нейронных сетей и инструменты регрессионного анализа. В ряде работ, ориентированных на уменьшение пессимизма классического статического временного анализа, аргументируется преимущество ансамблевых методов. Отмечено, что методы этого типа демонстрируют более точные результаты по сравнению с одиночными методами в условиях недостаточного количества обучающих данных.

Ключевые слова:статический временной анализ, статистический статический временной анализ, интеллектуальные методы, искусственный интеллект, машинное обучение, ложные пути, Signal Integrity

УДК 621.3.049.771.14

РЭНСИТ, 2022, 14(1):27-38 DOI: 10.17725/rensit.2022.14.027.


Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/431/14(1)27-38.pdf