НАНОСИСТЕМЫ

Создание и исследование мембран на основе сегнетоэлектрических пленок

Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Чучева Г.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязинский филиал, https://fireras.su/
Фрязино 141190, Московская область, Российская Федерация
Email: afanasiev@mail.ru, belorusov@mail.ru, dm.kiselev@gmail.com, gvc@ms.ire.rssi.ru

Поступила 24.09.2024, рецензирована 30.09.2024, принята 07.10.2024, опубликована 18.12.2024.

Аннотация: Методом жидкостной фотолитографии на подложке кремния сформированы мембраны на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3 и представлены результаты исследований их электрофизических свойств. Методом силовой микроскопии пьезоотклика исследованы особенности пьезоэлектрических свойств полученных мембран. Представлены результаты переключения поляризации постоянным напряжением, и получены остаточные петли пьезоэлектрического гистерезиса от числа циклов переключения.
Ключевые слова: микроэлектромеханическая система, мембрана, сегнетоэлектрическая пленка, вольтфарадные характеристики, пьезоотклик

УДК 53.097

РЭНСИТ, 2024, 16(8):1033-1038 DOI: 10.17725/rensit.2024.16.1033

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/632/16(8)1033-1038.pdf