НАНОСИСТЕМЫ

Встречно-штыревые структуры на основе сегнетоэлектрических пленок

1Афанасьев М.С., 1Белорусов Д.А., 1Киселев Д.А., 2Смирнов А.В., 1Чучева Г.В.
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязинский филиал, https://fireras.su/
Фрязино 141190, Московская область, Российская Федерация
2Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, http://www.cplire.ru/
Москва 125009, Российская Федерация
Email: michaela2005@yandex.ru, belorusov.dima@mail.ru, dm.kiselev@gmail.com, andre-smirnov-v@yandex.ru, gvc@ms.ire.rssi.ru

Поступила 26.11.2024, рецензирована 02.12.2024, принята 09.12.2024, опубликована 09.02.2025

Аннотация: Сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 синтезированы на кремниевые подложки ВЧ-распылением. На выращенные пленки методами магнетронного напыления и проекционной безмасочной фотолитографии сформированы встречно-штыревые структуры. Проведены высокочастотные измерения зависимостей импеданса сформированных объектов от напряжения. Представлены результаты исследований электрофизических свойств полученных структур.

Ключевые слова: встречно-штыревые структуры, планарные конденсаторы, сегнетоэлектрические пленки BST, обратная фотолитография, рентгеноструктурные исследования, электрофизические свойства

УДК 53.097

РЭНСИТ, 2025, 17(1):119-124 DOI: 10.17725/rensit.2025.17.119

Полнотекстовая электронная версия статьи – на вебсайтах http://elibrary.ru и http://rensit.ru/vypuski/article/644/17(1)119-124.pdf