Том 12, №3, 2020
РусскийEnglish
ХОДАКОВ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ
к.ф.-м.н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновский филиал, http://ulireran.ru/
48/2, ул. Гончарова, Ульяновск 432071, Российская Федерация
ln23al@yandex.ru
Статьи:
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения температуры и плотности тока в гетероструктуре. РЭНСИТ, 2020, 12(3):329-334. DOI: 10.17725/rensit.2020.12.329.