Том 12, №3, 2020
РусскийEnglish
СЕРГЕЕВ ВЯЧЕСЛАВ АНДРЕЕВИЧ
д.т.н., доцент, член-корр. РАЕН
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновский филиал, http://ulireran.ru/
48/2, ул. Гончарова, Ульяновск 432071, Российская Федерация
Ульяновский государственный технический университет, http://www.ulstu.ru/
Ульяновск 432027, Российская Федерация
sva@ulstu.ru
Статьи:
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения температуры и плотности тока в гетероструктуре. РЭНСИТ, 2020, 12(3):329-334. DOI: 10.17725/rensit.2020.12.329.