Том 9, №2, 2017
РусскийEnglish
СОЛДАТОВ ЕВГЕНИЙ СЕРГЕЕВИЧ (03.05.1951, Днепропетровск, СССР)
кандидат физико-математических наук, член-корреспондент Российской академии естественных наук, http://www.raen.info, (2001)
Адрес: 1/2, Ленинские горы, Москва, 119991 Россия
Эл. адрес: esold@phys.msu.ru
Образование, ученые степени
Кандидат физико-математических наук, физический факультет, МГУ им. М.В.Ломоносова (1983)
Диплом: Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний (1974)
Ученое звание
-
История принадлежности
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, физический факультет, http://www.phys.msu.ru, Москва, Россия (1974 – наст.вр.)
Научные интересы
Радиофизика, микро и наноэлектроника, молекулярные наноэлектронные структуры, коррелированное туннелирование электронов (одноэлектроника)
Академическая деятельность
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники (1974-2015), кафедра полупроводников (2015 - наст. вр)
Лаборатория криоэлектроники, научная группа молекулярной одноэлектроники, руководитель (с 1990)
Участие в редколлегиях
Журнал «РЭНСИТ: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии» ISSN 2218-3000, член редколлегии (2009)
Избранные публикации
Статьи:
E.S. Soldatov, V.V. Khanin, A.S. Trifonov, S.P. Gubin, V.V. Kolesov, D.E. Presnov, S.A. Iakovenko, G.B. Khomutov. Room temperature single-electron transistor on the base of single cluster molecule. JETP Lett., 1996, 64(7):556.
V.V. Shorokhov, P. Johansson, E.S. Soldatov, Simulation of Characteristics of Molecular Set Transistor with Discrete Energy Spectrum of the Central Electrode. J. Appl. Phys., 2002, 91, 3049.
S.P. Gubin, Yu.V. Gulyaev, G.B. Khomutov, V.V. Kislov, V.V. Kolesov, E.S. Soldatov, K.S. Sulaimankulov, A.S. Trifonov. Molecular Clusters As Building Blocks For Nanoelectronics: The First Demonstration of A Cluster Single-Electron Tunneling Transistor At Room Temperature. Nanotechnology, 2002, 13, 185.
S.P. Gubin, V.V. Shorokhov, G.B. Khomutov, V.V. Kolesov, E.S. Soldatov, K.S. Sulaimankulov, A.S. Trifonov. Molecular Cluster Based Nanoelectronics. Microelectronic Engineering, 2003, 69:536.
V. V. Shorokhov, E. S. Soldatov, and S. P. Gubin. Self-Capacitance of Nanosized Objects. Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, 56(3): 326-341, doi: 10.1134/S1064226911030090. Impact-factor (JCR-2013): 0.359; indexed in Scopus and Web of Science (http://link.springer.com/article/10.1134/2FS1064226911030090). Translation of article: В. Шорохов, Е. Солдатов и С. Губин. Собственная емкость наноразмерных объектов. Радиотехника и электроника, 2011, 56(3):352-369.
Ya. S. Gerasimov, V. V. Shorokhov, A. G. Maresov, E. S. Soldatov, O. V. Snigirev, Calculation of the mutual capacitance of nanoobjects. Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, 1056(12):1483-1489, doi: 10.1134/S106422691111009X. Impact-factor (JCR-2013): 0.359; indexed in Scopus and Web of Science (http://link.springer.com/article/10.1134/S106422691111009X). Translation of article: Я. Герасимов, В. Шорохов, А. Маресов, Е. Солдатов и О. Снигирев. Расчет взаимной емкости нанообъектов. Радиотехника и электроника, 2011, 56(12):1514-1521.
A. Stepanov, E. Soldatov, and O. Snigirev. Implementation of molecular transistor electrodes by electromigration. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2011, 24(1-2):1087-1093, doi: 10.1007/s10948-010-0857-y. Impact-factor (JCR-2013): 0.930; indexed in Scopus and Web of Science (http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10948-010-0857-y)
Y. Gerasimov, V. Shorokhov, E. Soldatov, and O. Snigirev. Gold nanoparticle single-electron transistor simulation. Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 870015, 2013, doi: 10.1117/12.2017078. Indexed in Scopus (SJR-2013: 0,192) and Web of Science (http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=1555696)
S. Dagesyan, A. Stepanov, E. Soldatov, and G. Zharik. High-temperature single-electron transistor based on a gold nanoparticle. Proc. of SPIE, the International Society for Optical Engineering, vol. 9440, pp. 94400P–1–94400P–6, 2014, doi: 10.1117/12.2181137. Indexed in Scopus (SJR-2013: 0,192) and Web of Science (http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=2086486)
Dagesyan S.A., Stepanov A.S., Soldatov E.S., Snigirev O.V., Properties of Extremely Narrow Gaps Between Electrodes of a Molecular Transistor. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2015, 28(3):787-790.
Премии и гранты
РФФИ, 06-05-64988-а. РФФИ, № 12-07-00816а, РФФИ, № 09-07-00272а, МНТЦ 3457, МНТЦ № 1991, INTAS 99-00864.
кандидат физико-математических наук, член-корреспондент Российской академии естественных наук, http://www.raen.info, (2001)
Адрес: 1/2, Ленинские горы, Москва, 119991 Россия
Эл. адрес: esold@phys.msu.ru
Образование, ученые степени
Кандидат физико-математических наук, физический факультет, МГУ им. М.В.Ломоносова (1983)
Диплом: Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний (1974)
Ученое звание
-
История принадлежности
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, физический факультет, http://www.phys.msu.ru, Москва, Россия (1974 – наст.вр.)
Научные интересы
Радиофизика, микро и наноэлектроника, молекулярные наноэлектронные структуры, коррелированное туннелирование электронов (одноэлектроника)
Академическая деятельность
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники (1974-2015), кафедра полупроводников (2015 - наст. вр)
Лаборатория криоэлектроники, научная группа молекулярной одноэлектроники, руководитель (с 1990)
Участие в редколлегиях
Журнал «РЭНСИТ: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии» ISSN 2218-3000, член редколлегии (2009)
Избранные публикации
Статьи:
E.S. Soldatov, V.V. Khanin, A.S. Trifonov, S.P. Gubin, V.V. Kolesov, D.E. Presnov, S.A. Iakovenko, G.B. Khomutov. Room temperature single-electron transistor on the base of single cluster molecule. JETP Lett., 1996, 64(7):556.
V.V. Shorokhov, P. Johansson, E.S. Soldatov, Simulation of Characteristics of Molecular Set Transistor with Discrete Energy Spectrum of the Central Electrode. J. Appl. Phys., 2002, 91, 3049.
S.P. Gubin, Yu.V. Gulyaev, G.B. Khomutov, V.V. Kislov, V.V. Kolesov, E.S. Soldatov, K.S. Sulaimankulov, A.S. Trifonov. Molecular Clusters As Building Blocks For Nanoelectronics: The First Demonstration of A Cluster Single-Electron Tunneling Transistor At Room Temperature. Nanotechnology, 2002, 13, 185.
S.P. Gubin, V.V. Shorokhov, G.B. Khomutov, V.V. Kolesov, E.S. Soldatov, K.S. Sulaimankulov, A.S. Trifonov. Molecular Cluster Based Nanoelectronics. Microelectronic Engineering, 2003, 69:536.
V. V. Shorokhov, E. S. Soldatov, and S. P. Gubin. Self-Capacitance of Nanosized Objects. Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, 56(3): 326-341, doi: 10.1134/S1064226911030090. Impact-factor (JCR-2013): 0.359; indexed in Scopus and Web of Science (http://link.springer.com/article/10.1134/2FS1064226911030090). Translation of article: В. Шорохов, Е. Солдатов и С. Губин. Собственная емкость наноразмерных объектов. Радиотехника и электроника, 2011, 56(3):352-369.
Ya. S. Gerasimov, V. V. Shorokhov, A. G. Maresov, E. S. Soldatov, O. V. Snigirev, Calculation of the mutual capacitance of nanoobjects. Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, 1056(12):1483-1489, doi: 10.1134/S106422691111009X. Impact-factor (JCR-2013): 0.359; indexed in Scopus and Web of Science (http://link.springer.com/article/10.1134/S106422691111009X). Translation of article: Я. Герасимов, В. Шорохов, А. Маресов, Е. Солдатов и О. Снигирев. Расчет взаимной емкости нанообъектов. Радиотехника и электроника, 2011, 56(12):1514-1521.
A. Stepanov, E. Soldatov, and O. Snigirev. Implementation of molecular transistor electrodes by electromigration. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2011, 24(1-2):1087-1093, doi: 10.1007/s10948-010-0857-y. Impact-factor (JCR-2013): 0.930; indexed in Scopus and Web of Science (http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10948-010-0857-y)
Y. Gerasimov, V. Shorokhov, E. Soldatov, and O. Snigirev. Gold nanoparticle single-electron transistor simulation. Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 870015, 2013, doi: 10.1117/12.2017078. Indexed in Scopus (SJR-2013: 0,192) and Web of Science (http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=1555696)
S. Dagesyan, A. Stepanov, E. Soldatov, and G. Zharik. High-temperature single-electron transistor based on a gold nanoparticle. Proc. of SPIE, the International Society for Optical Engineering, vol. 9440, pp. 94400P–1–94400P–6, 2014, doi: 10.1117/12.2181137. Indexed in Scopus (SJR-2013: 0,192) and Web of Science (http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=2086486)
Dagesyan S.A., Stepanov A.S., Soldatov E.S., Snigirev O.V., Properties of Extremely Narrow Gaps Between Electrodes of a Molecular Transistor. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2015, 28(3):787-790.
Премии и гранты
РФФИ, 06-05-64988-а. РФФИ, № 12-07-00816а, РФФИ, № 09-07-00272а, МНТЦ 3457, МНТЦ № 1991, INTAS 99-00864.